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M29W008DB70N1F

更新时间： 2023-01-02 17:52:08
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
34页 462K
描述
Flash, 1MX8, 70ns, PDSO40, 10 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-40

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M29W008DB70N1F 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：10 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-40针数：40
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.68
最长访问时间：70 ns其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK
启动块：BOTTOMJESD-30 代码：R-PDSO-G40
长度：18.4 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1端子数量：40
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED类型：NOR TYPE
宽度：10 mm

M29W008DB70N1F 数据手册

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M29W008DT  
M29W008DB  
8 Mbit (1Mb x 8, Boot Block)  
3V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
■
SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Package  
–
2.7V to 3.6V for Program, Erase and Read  
■
■
■
ACCESS TIMES: 70ns, 90ns  
PROGRAMMING TIME: 10µs per Byte typical  
PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)  
–
–
Embedded Byte Program Algorithm  
Status Register bits and Ready/Busy  
Output  
■
19 MEMORY BLOCKS  
–
–
1 Boot Block (Top or Bottom location)  
2 Parameter and 16 Main Blocks  
TSOP40 (N)  
10 x 20mm  
■
■
BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE  
MULTIPLE BLOCK PROTECTION/  
TEMPORARY UNPROTECTION MODE  
■
■
ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
LOW POWER CONSUMPTION  
–
Standby and Automatic Standby modes  
■
■
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
20 YEARS DATA RETENTION  
–
Defectivity below 1ppm/year  
■
ELECTRONIC SIGNATURE  
–
–
–
Manufacturer Code: 20h  
M29W008DT Device Code: D2h  
M29W008DB Device Code: DCh  
August 2004  
1/34  
1234567...34

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W008DB70N1T STMICROELECTRONICS

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