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M29W008DB90N1

更新时间： 2023-01-03 04:35:32
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
34页 462K
描述
Flash, 1MX8, 90ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40

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M29W008DB90N1 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40针数：40
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.18
最长访问时间：90 ns其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK
启动块：BOTTOMJESD-30 代码：R-PDSO-G40
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：40字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED类型：NOR TYPE
宽度：10 mmBase Number Matches：1

M29W008DB90N1 数据手册

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M29W008DT  
M29W008DB  
8 Mbit (1Mb x 8, Boot Block)  
3V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
■
SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Package  
–
2.7V to 3.6V for Program, Erase and Read  
■
■
■
ACCESS TIMES: 70ns, 90ns  
PROGRAMMING TIME: 10µs per Byte typical  
PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)  
–
–
Embedded Byte Program Algorithm  
Status Register bits and Ready/Busy  
Output  
■
19 MEMORY BLOCKS  
–
–
1 Boot Block (Top or Bottom location)  
2 Parameter and 16 Main Blocks  
TSOP40 (N)  
10 x 20mm  
■
■
BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE  
MULTIPLE BLOCK PROTECTION/  
TEMPORARY UNPROTECTION MODE  
■
■
ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
LOW POWER CONSUMPTION  
–
Standby and Automatic Standby modes  
■
■
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
20 YEARS DATA RETENTION  
–
Defectivity below 1ppm/year  
■
ELECTRONIC SIGNATURE  
–
–
–
Manufacturer Code: 20h  
M29W008DT Device Code: D2h  
M29W008DB Device Code: DCh  
August 2004  
1/34  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W008DB90N1F STMICROELECTRONICS

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M29W008DB90N6 STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 1MX8, 90ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40
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