5秒后页面跳转
M29W008DT90N6 PDF预览

M29W008DT90N6

更新时间: 2024-10-03 05:01:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
34页 462K
描述
Flash, 1MX8, 90ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40

M29W008DT90N6 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TSOP包装说明:10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40
针数:40Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.18最长访问时间:90 ns
其他特性:TOP BOOT BLOCK启动块:TOP
命令用户界面:YES数据轮询:YES
耐久性:100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDSO-G40
JESD-609代码:e0长度:18.4 mm
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
部门数/规模:1,2,1,15端子数量:40
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:1MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP40,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3/3.3 V
编程电压:3 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES座面最大高度:1.2 mm
部门规模:16K,8K,32K,64K最大待机电流:0.0001 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.02 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:YES
类型:NOR TYPE宽度:10 mm

M29W008DT90N6 数据手册

 浏览型号M29W008DT90N6的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M29W008DT90N6的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M29W008DT90N6的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M29W008DT90N6的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M29W008DT90N6的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M29W008DT90N6的Datasheet PDF文件第7页 
M29W008DT  
M29W008DB  
8 Mbit (1Mb x 8, Boot Block)  
3V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Package  
2.7V to 3.6V for Program, Erase and Read  
ACCESS TIMES: 70ns, 90ns  
PROGRAMMING TIME: 10µs per Byte typical  
PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)  
Embedded Byte Program Algorithm  
Status Register bits and Ready/Busy  
Output  
19 MEMORY BLOCKS  
1 Boot Block (Top or Bottom location)  
2 Parameter and 16 Main Blocks  
TSOP40 (N)  
10 x 20mm  
BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE  
MULTIPLE BLOCK PROTECTION/  
TEMPORARY UNPROTECTION MODE  
ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
LOW POWER CONSUMPTION  
Standby and Automatic Standby modes  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
20 YEARS DATA RETENTION  
Defectivity below 1ppm/year  
ELECTRONIC SIGNATURE  
Manufacturer Code: 20h  
M29W008DT Device Code: D2h  
M29W008DB Device Code: DCh  
August 2004  
1/34  

与M29W008DT90N6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W008DT90N6E STMICROELECTRONICS

获取价格

Flash, 1MX8, 90ns, PDSO40, 10 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-40
M29W008DT90N6F STMICROELECTRONICS

获取价格

Flash, 1MX8, 90ns, PDSO40, 10 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-40
M29W008DT90N6T STMICROELECTRONICS

获取价格

Flash, 1MX8, 90ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40
M29W008EB STMICROELECTRONICS

获取价格

8 Mbit (1Mb x 8, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W008EB70N1E STMICROELECTRONICS

获取价格

8 Mbit (1Mb x 8, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W008EB70N1F STMICROELECTRONICS

获取价格

8 Mbit (1Mb x 8, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W008EB70N6E STMICROELECTRONICS

获取价格

8 Mbit (1Mb x 8, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W008EB70N6F STMICROELECTRONICS

获取价格

8 Mbit (1Mb x 8, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W008EB90N1E STMICROELECTRONICS

获取价格

8 Mbit (1Mb x 8, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W008EB90N1F STMICROELECTRONICS

获取价格

8 Mbit (1Mb x 8, Boot Block) 3V Supply Flash Memory