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M29F400B-90N3RTR PDF预览

M29F400B-90N3RTR

更新时间： 2024-12-01 19:30:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
34页 317K
描述
256KX16 FLASH 5V PROM, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-48

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M29F400B-90N3RTR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：12 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.69最长访问时间：90 ns
其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK备用内存宽度：8
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
数据轮询：YES耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：1,2,1,7
端子数量：48字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES反向引出线：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

M29F400B-90N3RTR 数据手册

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M29F400T  
M29F400B  
4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block)  
Single Supply Flash Memory  
NOT FOR NEW DESIGN  
M29F400T and M29F400B are replaced  
respectively by the M29F400BT and  
M29F400BB  
5V±10% SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM,  
ERASE and READ OPERATIONS  
FAST ACCESS TIME: 55ns  
44  
FAST PROGRAMMING TIME  
– 10µs by Byte / 16µs by Word typical  
PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)  
– Program Byte-by-Byte or Word-by-Word  
– Status Register bits and Ready/Busy Output  
MEMORY BLOCKS  
1
TSOP48 (N)  
12 x 20 mm  
SO44 (M)  
– Boot Block (Top or Bottom location)  
– Parameter and Main blocks  
BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE  
MULTI-BLOCK PROTECTION/TEMPORARY  
UNPROTECTION MODES  
ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
Figure 1. Logic Diagram  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
LOW POWER CONSUMPTION  
– Stand-by and Automatic Stand-by  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
V
CC  
20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1ppm/year  
ELECTRONIC SIGNATURE  
18  
15  
A0-A17  
DQ0-DQ14  
– Manufacturer Coe: 0020h  
– Device Code, M29F400T: 00D5h  
– Device Code, M29F400B: 00D6h  
W
E
DQ15A–1  
BYTE  
RB  
M29F400T  
M29F400B  
G
DESCRTION  
RP  
TM29F400 is a non-volatile memory that may  
be erased electrically at the block or chip level and  
programmed in-system on a Byte-by-Byte or Word-  
by-Word basis using only a single 5V VCC supply.  
For Program and Erase operations the necessary  
high voltages are generated internally. The device  
can also be programmed in standard program-  
mers.  
V
SS  
AI01726B  
The array matrix organisation allows each block to  
be erased and reprogrammed without affecting  
other blocks. Blocks can be protected against pro-  
November 1999  
1/34  
This is information on a product stil l in production but not recommended for new designs.  
1234567...34

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29F400B-90N3TR STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F400B-90N5R STMICROELECTRONICS

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 		IC,EEPROM,NOR FLASH,256KX16/512KX8,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC
M29F400B-90N6R STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F400B-90N6RTR STMICROELECTRONICS

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 		暂无描述
M29F400B-90N6TR STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F400BB STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F400BB45M1 STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F400BB-45M1 STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F400BB45M1E STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) single supply Flash memory
M29F400BB45M1F STMICROELECTRONICS

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