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M29F400BB45MT1E

更新时间： 2024-09-27 14:43:19
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
40页 316K
描述
Flash, 256KX16, 45ns, PDSO44, 0.500 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-44

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M29F400BB45MT1E 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：0.500 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-44针数：44
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.11
Is Samacsys：N最长访问时间：45 ns
其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK备用内存宽度：8
启动块：BOTTOMJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e3/e4长度：28.5 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：44字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：245编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：MATTE TIN/NICKEL PALLADIUM GOLD端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40类型：NOR TYPE
宽度：12.6 mmBase Number Matches：1

M29F400BB45MT1E 数据手册

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M29F400BT  
M29F400BB  
4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block)  
single supply Flash memory  
Feature summary  
■ Single 5V±10% supply voltage for program,  
erase and read operations  
■ Access time: 45ns  
■ Programming time  
– 8µs per Byte/Word typical  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
■ 11 memory blocks  
– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)  
– 2 Parameter and 8 Main Blocks  
■ Program/erase controller  
– Embedded Byte/Word Program algorithm  
– Embedded Multi-Block/Chip Erase  
algorithm  
44  
– Status Register Polling and Toggle Bits  
– Ready/Busy Output Pin  
1
■ Erase Suspend and Resume modes  
SO44 (MT)  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
■ Unlock Bypass Program command  
■ Electronic signature  
– Faster Production/Batch Programming  
– Manufacturer Code: 0020h  
■ Temporary block unprotection mode  
– Top Device Code M29F400BT: 00D5h  
– Bottom Device Code M29F400BB: 00D6h  
■ Low power consumption  
– Standby and Automatic Standby  
®
■ ECOPACK packages available  
■ 100,000 program/erase cycles per block  
■ 20-year data retention  
– Defectivity below 1 ppm/year  
July 2006  
Rev 3  
1/40  
www.st.com  
1
1234567...40

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与M29F400BB45MT1E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29F400BB45MT1F NUMONYX

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 		256KX16 FLASH 5V PROM, 45ns, PDSO44, 0.500 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-44
M29F400BB45MT1T NUMONYX

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M29F400BB45MT3 NUMONYX

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M29F400BB45N1 STMICROELECTRONICS

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