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M29F200BT70N1

更新时间： 2024-11-02 20:06:23
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
39页 307K
描述
128KX16 FLASH 5V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

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M29F200BT70N1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.13最长访问时间：70 ns
其他特性：TOP BOOT BLOCK备用内存宽度：8
启动块：TOP命令用户界面：YES
数据轮询：YES耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：1,2,1,3
端子数量：48字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

M29F200BT70N1 数据手册

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M29F200BT  
M29F200BB  
2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block)  
Single Supply Flash Memory  
Features  
■ Single 5V±10% supply voltage for Program,  
Erase and Read operations  
■ Access time: 45, 50, 70, 90ns  
■ Programming time  
– 8µs per Byte/Word typical  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
■ 7 memory blocks  
– 1 Boot Block (Top or Bottom location)  
– 2 parameter and 4 main blocks  
■ Program/Erase controller  
– Embedded Byte/Word Program algorithm  
– Embedded Multi-Block/Chip Erase  
algorithm  
44  
– Status Register polling and toggle bits  
– Ready/Busy output pin  
■ Erase Suspend and Resume modes  
1
– Read and Program another block during  
Erase Suspend  
SO44 (M)  
■ Unlock Bypass Program command  
– Faster Production/Batch Programming  
■ Temporary Block Unprotection mode  
■ Low power consumption  
– Standby and Automatic Standby  
■ 100,000 Program/Erase cycles per block  
■ 20 years data retention  
– Defectivity below 1 ppm/year  
■ Electronic Signature  
– Manufacturer code: 0020h  
– Top Device code M29F200BT: 00D3h  
– Bottom Device code: M29F200BB: 00D4h  
®
■ ECOPACK packages available  
March 2007  
Rev 5  
1/39  
www.st.com  
1
 
1234567...39

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29F200BT70N1F NUMONYX

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 		Flash, 128KX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
M29F200BT70N1T STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F200BT70N3 STMICROELECTRONICS

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 		128KX16 FLASH 5V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
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M29F200BT70N3T STMICROELECTRONICS

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M29F200BT70N6 NUMONYX

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 		128KX16 FLASH 5V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29F200BT70N6E NUMONYX

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 		128KX16 FLASH 5V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
M29F200BT70N6F NUMONYX

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 		Flash, 128KX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
M29F200BT70N6T STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F200BT90M1 NUMONYX

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 		128KX16 FLASH 5V PROM, 90ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-44

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