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Datasheet > 暂无类别数据> M29F002B-70N6TR
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M29F002B-70N6TR

更新时间： 2024-11-28 22:51:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
29页 199K
描述
2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory

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M29F002B-70N6TR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：TSOP1, TSSOP32,.8,20
针数：32Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.11Is Samacsys：N
最长访问时间：70 ns其他特性：20 YEARS DATA RETENTION; 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; BOTTOM BOOT BLOCK
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
数据轮询：YES数据保留时间-最小值：20
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：2097152 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,3端子数量：32
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP32,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：8 mmBase Number Matches：1

M29F002B-70N6TR 数据手册

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M29F002T, M29F002NT  
M29F002B  
2 Mbit (256Kb x8, Boot Block) Single Supply Flash Memory  
5V ± 10% SUPPLYVOLTAGEfor PROGRAM,  
ERASE and READ OPERATIONS  
FASTACCESS TIME: 70ns  
FAST PROGRAMMING TIME: 10µs typical  
PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)  
– Program Byte-by-Byte  
32  
– Status Register bits  
MEMORY BLOCKS  
1
PLCC32 (K)  
PDIP32 (P)  
– Boot Block (Top or Bottom location)  
– Parameterand Main blocks  
BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE  
MULTI-BLOCKPROTECTION/TEMPORARY  
UNPROTECTION MODES  
ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
TSOP32 (N)  
8 x 20mm  
LOW POWER CONSUMPTION  
– Stand-byand AutomaticStand-by  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
20 YEARSDATARETENTION  
– Defectivity below 1ppm/year  
ELECTRONIC SIGNATURE  
– ManufacturerCode: 20h  
Figure 1. Logic Diagram  
V
CC  
– Device Code, M29F002T: B0h  
– Device Code, M29F002NT: B0h  
– Device Code, M29F002B: 34h  
18  
8
A0-A17  
DQ0-DQ7  
DESCRIPTION  
W
The M29F002 is a non-volatile memory that may  
be erased electrically at the block or chiplevel and  
programmed in-system on a Byte-by-Byte basis  
usingonlyasingle5VVCC supply.ForProgramand  
Erase operations the necessary high voltages are  
generated internally. The device can also be pro-  
grammed in standardprogrammers.  
M29F002T  
M29F002B  
M29F002NT  
E
G
(*) RPNC  
The array matrix organisationallows each block to  
be erased and reprogrammed without affecting  
other blocks. Blocks can be protectedagainst pro-  
graming and erase on programming equipment,  
and temporarily unprotected to make changes in  
the application. Each block can be programmed  
and erased over 100,000 cycles.  
V
SS  
AI02078C  
Note: * RPNC function is not available for the M29F002NT  
July 1998  
1/29  
1234567...29

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29F002B-70P1TR STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F002B-70P6TR STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F002B-70XK1 STMICROELECTRONICS

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M29F002B-70XK1TR STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory
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 		256KX8 FLASH 5V PROM, 70ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32
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