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M28W160BT70GB6T

更新时间: 2024-11-04 22:27:55
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存
页数 文件大小 规格书
45页 332K
描述
16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

M28W160BT70GB6T 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:6.39 X 6.37 MM, 0.75 MM PITCH, MICRO, BGA-46
针数:46Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.64最长访问时间:70 ns
其他特性:TOP BOOT BLOCK启动块:TOP
命令用户界面:YES通用闪存接口:YES
数据轮询:NOJESD-30 代码:R-PBGA-B46
JESD-609代码:e0长度:6.39 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16功能数量:1
部门数/规模:8,31端子数量:46
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:1MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:VFBGA
封装等效代码:BGA48,6X8,30封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3/3.3 V
编程电压:3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1 mm部门规模:4K,32K
最大待机电流:0.000005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:BALL
端子节距:0.75 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:NO
类型:NOR TYPE宽度:6.37 mm
Base Number Matches:1

M28W160BT70GB6T 数据手册

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M28W160BT  
M28W160BB  
16 Mbit (1Mb x16, Boot Block)  
3V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
– V = 2.7V to 3.6V Core Power Supply  
DD  
– V  
= 1.65V to 3.6V for Input/Output  
DDQ  
µBGA  
– V = 12V for fast Program (optional)  
PP  
ACCESS TIME: 70, 85, 90,100ns  
PROGRAMMING TIME  
– 10µs typical  
µBGA46 (GB)  
6.39 x 6.37mm  
– Double Word Programming Option  
COMMON FLASH INTERFACE  
– 64 bit Security Code  
FBGA  
MEMORY BLOCKS  
TFBGA46 (ZB)  
6.39 x 6.37mm  
– Parameter Blocks (Top or Bottom location)  
– Main Blocks  
BLOCK PROTECTION on TWO PARAMETER  
BLOCKS  
– WP for Block Protection  
AUTOMATIC STAND-BY MODE  
PROGRAM and ERASE SUSPEND  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
BLOCK  
ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
– Top Device Code, M28W160BT: 90h  
– Bottom Device Code, M28W160BB: 91h  
May 2002  
1/45  

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