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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 17页 | 267K |  |
| 描述 | ||
| 2KX8 EEPROM 3V, 200ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | ||
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFJ |
| 包装说明： | QCCJ, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 200 ns | JESD-30 代码： | R-PQCC-J32 |
| 长度： | 13.995 mm | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 2KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 编程电压： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.56 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 宽度： | 11.455 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M28LV16-200MS1T | STMICROELECTRONICS |
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2KX8 EEPROM 3V, 200ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SO-24 |
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| M28LV16-200MS6T | STMICROELECTRONICS |
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2KX8 EEPROM 3V, 200ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SO-24 |
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| M28LV16-250K1 | STMICROELECTRONICS |
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2KX8 EEPROM 3V, 250ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| M28LV16-250K1T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2KX8 EEPROM 3V, 250ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| M28LV16-250K6 | STMICROELECTRONICS |
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2KX8 EEPROM 3V, 250ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| M28LV16-250K6T | STMICROELECTRONICS |
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2KX8 EEPROM 3V, 250ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| M28LV16-250N1 | STMICROELECTRONICS |
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2KX8 EEPROM 3V, 250ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP-28 |
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| M28LV16-250N1T | STMICROELECTRONICS |
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2KX8 EEPROM 3V, 250ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP-28 |
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| M28LV16-250N6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2KX8 EEPROM 3V, 250ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP-28 |
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| M28LV16-250N6T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2KX8 EEPROM 3V, 250ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP-28 |
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