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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | PLASTIC, DIP-32 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.79 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 150 ns |
| 其他特性： | 1000 ERASE/PROGRAM CYCLES | JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 编程电压： | 12 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M28F256-15XB1TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY |
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| M28F256-15XB312 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
32KX8 FLASH 12V PROM, 150ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32 |
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| M28F256-15XB313 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
32KX8 FLASH 12V PROM, 150ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32 |
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| M28F256-15XB3TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY |
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| M28F256-15XB6TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY |
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| M28F256-15XC112 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
32KX8 FLASH 12V PROM, 150ns, PQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, PLASTIC, LCC-32 |
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| M28F256-15XC1TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY |
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| M28F256-15XC3TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY |
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| M28F256-15XC6TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY |
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| M28F256-15XF113 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
32KX8 FLASH 12V PROM, 150ns, CDIP32, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-32 |
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