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M27W201-80K6TR

更新时间： 2024-01-29 09:45:29
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
16页 173K
描述
2 Mbit 256Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

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M27W201-80K6TR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFJ包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.82Is Samacsys：N
最长访问时间：80 ns其他特性：ACCESS TIME 70 NANO SECS AT VCC 3V TO 3.6V
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PQCC-J32
JESD-609代码：e3长度：13.97 mm
内存密度：2097152 bit内存集成电路类型：OTP ROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装等效代码：LDCC32,.5X.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.56 mm
最大待机电流：0.000015 A子类别：OTP ROMs
最大压摆率：0.015 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：11.43 mmBase Number Matches：1

M27W201-80K6TR 数据手册

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M27W201  
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www.st.com  
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
M27W201-80N6 STMICROELECTRONICS 256KX8 OTPROM, 80ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32

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