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M27V256-100K6TR

更新时间： 2024-10-26 22:37:11

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器电动程控只读存储器
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描述
256 Kbit 32Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

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M27V256-100K6TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	PLASTIC, LCC-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.92	最长访问时间：	100 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQCC-J32
JESD-609代码：	e0	长度：	13.97 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	OTP ROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC32,.5X.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
编程电压：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.56 mm	最大待机电流：	0.00001 A
子类别：	OTP ROMs	最大压摆率：	0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11.43 mm
Base Number Matches：	1

M27V256-100K6TR 数据手册

M27V256

256 Kbit (32Kb x 8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

■ LOW VOLTAGE READ OPERATION:

3V to 3.6V

■ FAST ACCESS TIME: 90ns

■ LOW POWER CONSUMPTION:

– Active Current 10mA at 5MHz

– Standby Current 10µA

■ PROGRAMMING VOLTAGE: 12.75V ± 0.25V

FDIP28W (F)

PDIP28 (B)

■ PROGRAMMING TIME: 100µs/byte (typical)

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

– Device Code: 8Dh

DESCRIPTION

The M27V256 is a low voltage 256 Kbit EPROM

offered in the two ranges UV (ultra violet erase)

and OTP (one time programmable). It is ideally

suited for microprocessor systems and is orga-

nized as 32,768 by 8 bits.

PLCC32 (K)

TSOP28 (N)

8 x 13.4mm

Figure 1. Logic Diagram

The M27V256 operates in the read mode with a

supply voltage as low as 3V. The decrease in op-

erating power allows either a reduction of the size

of the battery or an increase in the time between

battery recharges.

The FDIP28W (window ceramic frit-seal package)

has a transparent lid which allows the user to ex-

pose the chip to ultraviolet light to erase the bit pat-

tern. A new pattern can then be written to the

device by following the programming procedure.

A0-A14

Q0-Q7

Table 1. Signal Names

M27V256

A0-A14

Q0-Q7

Address Inputs

Data Outputs

Chip Enable

Output Enable

Program Supply

Supply Voltage

Ground

AI01908

May 1998

1/15

12 3 4 5 6 7...15

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M27V256-100N1	STMICROELECTRONICS	获取价格	32KX8 OTPROM, 100ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP-28
M27V256-100N1TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	256 Kbit 32Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27V256-100N6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	256 Kbit 32Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27V256-120B1	STMICROELECTRONICS	获取价格	32KX8 OTPROM, 120ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
M27V256-120B1TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	256 Kbit 32Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27V256-120B6	STMICROELECTRONICS	获取价格	32KX8 OTPROM, 120ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
M27V256-120B6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	256 Kbit 32Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27V256-120BN1	STMICROELECTRONICS	获取价格	32KX8 OTPROM, 120ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28
M27V256-120F1	STMICROELECTRONICS	获取价格	32KX8 UVPROM, 120ns, CDIP28, FRIT SEALED, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28
M27V256-120F1TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	256 Kbit 32Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

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