是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP32,.6 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 120 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDIP-T32 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 41.91 mm |
内存密度: | 2097152 bit | 内存集成电路类型: | OTP ROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP32,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.08 mm |
最大待机电流: | 0.00002 A | 子类别: | OTP ROMs |
最大压摆率: | 0.015 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 15.24 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M27V201-120B1TR | STMICROELECTRONICS |
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2 Mbit 256Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM | |
M27V201-120B6 | STMICROELECTRONICS |
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256KX8 OTPROM, 120ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 | |
M27V201-120B6TR | STMICROELECTRONICS |
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2 Mbit 256Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM | |
M27V201-120F1 | STMICROELECTRONICS |
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256KX8 UVPROM, 120ns, CDIP32, WINDOWED, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-32 | |
M27V201-120F1TR | STMICROELECTRONICS |
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2 Mbit 256Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM | |
M27V201-120F6TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2 Mbit 256Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM | |
M27V201-120K1TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2 Mbit 256Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM | |
M27V201-120K6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
256KX8 OTPROM, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
M27V201-120K6TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2 Mbit 256Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM | |
M27V201-120N1TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2 Mbit 256Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM |