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M27C801-100K1

更新时间: 2024-10-31 04:10:55
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
24页 208K
描述
8 Mbit (1Mb x 8) UV EPROM and OTP EPROM

M27C801-100K1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFJ包装说明:ROHS COMPLIANT, PLASTIC, LCC-32
针数:32Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.79最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PQCC-J32
JESD-609代码:e3长度:13.97 mm
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:OTP ROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC32,.5X.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.56 mm
最大待机电流:0.0001 A子类别:OTP ROMs
最大压摆率:0.035 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:11.43 mmBase Number Matches:1

M27C801-100K1 数据手册

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M27C801  
8 Mbit (1Mb x 8) UV EPROM and OTP EPROM  
Features  
5 V 10% supply voltage in Read operation  
Access time: 55 ns  
32  
low Power Consumption:  
– Active current: 35 mA at 5 MHz  
– Standby current: 100 µA  
1
FDIP32W (F)  
Programming voltage: 12.75 V 0.25 V  
Programming time: 50 µs/word  
Electronic signature  
– Manufacturer code: 20h  
– Device code: 42h  
32  
ECOPACK® packages available  
1
PDIP32 (B)  
PLCC32 (K)  
September 2007  
Rev 6  
1/24  
www.st.com  
1

M27C801-100K1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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8 Mbit 1Mb x 8 UV EPROM and OTP EPROM
M27C801-100K1XTR STMICROELECTRONICS

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IC,EPROM,1MX8,CMOS,LDCC,32PIN,PLASTIC
M27C801-100K6 STMICROELECTRONICS

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8 Mbit (1Mb x 8) UV EPROM and OTP EPROM
M27C801-100K6TR STMICROELECTRONICS

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8 Mbit 1Mb x 8 UV EPROM and OTP EPROM
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M27C801-100N1 STMICROELECTRONICS

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1MX8 OTPROM, 100ns, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-32
M27C801-100N1TR STMICROELECTRONICS

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