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M27C256B-90F6

更新时间: 2024-11-17 08:14:55
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
24页 205K
描述
32KX8 UVPROM, 90ns, CDIP28, 0.280 INCH, LEAD FREE, CERAMIC, WINDOWED, FRIT SEALED, DIP-28

M27C256B-90F6 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:0.280 INCH, LEAD FREE, CERAMIC, WINDOWED, FRIT SEALED, DIP-28
针数:28Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.61
风险等级:8.58最长访问时间:90 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-CDIP-T28
JESD-609代码:e3长度:36.92 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:UVPROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:WDIP
封装等效代码:DIP28,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE, WINDOW并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
编程电压:12.75 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.72 mm最大待机电流:0.0001 A
子类别:EPROMs最大压摆率:0.03 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

M27C256B-90F6 数据手册

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M27C256B  
256 Kbit (32Kb × 8) UV EPROM and OTP EPROM  
Feature summary  
5V ± 10% supply voltage in Read operation  
Access time: 45ns  
28  
Low power consumption:  
– Active Current 30mA at 5MHz  
– Standby Current 100µA  
1
FDIP28W (F)  
Programming voltage: 12.75V ± 0.25V  
Programming time: 100µs/Word  
Electronic signature  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code: 8Dh  
28  
1
ECOPACK® packages available  
PDIP28 (B)  
PLCC32 (C)  
May 2006  
Rev 2  
1/24  
www.st.com  
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IC,EPROM,32KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC
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