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Datasheet > 存储 > OTP ROM> M27C256B-80XB6X
M27C256B-80XB6X PDF预览

M27C256B-80XB6X

更新时间： 2024-02-18 03:26:18
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
16页 149K
描述
256 Kbit (32Kb x 8) UV EPROM and OTP EPROM

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M27C256B-80XB6X 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
针数：28Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.82最长访问时间：80 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDIP-T28
JESD-609代码：e3长度：37.085 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：OTP ROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP28,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
编程电压：12.75 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.08 mm最大待机电流：0.0001 A
子类别：OTP ROMs最大压摆率：0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.25 V最小供电电压 (Vsup)：4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：15.24 mm
Base Number Matches：1

M27C256B-80XB6X 数据手册

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M27C256B  
(1)  
Table 7. Read Mode DC Characteristics  
(T = 0 to 70°C, –40 to 85°C, –40 to 105°C or –40 to 125°C; V = 5V ± 5% or 5V ± 10%; V = V  
)
A
CC  
PP  
CC  
Symbol  
Parameter  
Input Leakage Current  
Output Leakage Current  
Test Condition  
Min  
Max  
Unit  
µA  
I
0V ≤ V ≤ V  
±10  
±10  
LI  
IN  
CC  
I
LO  
0V ≤ V ≤ V  
OUT CC  
µA  
E = V , G = V ,  
IL  
IL  
I
Supply Current  
30  
mA  
CC  
I
= 0mA, f = 5MHz  
OUT  
I
E = V  
Supply Current (Standby) TTL  
Supply Current (Standby) CMOS  
Program Current  
1
mA  
µA  
µA  
V
CC1  
IH  
I
E > V – 0.2V  
CC  
100  
100  
0.8  
CC2  
I
V
= V  
PP CC  
PP  
V
IL  
Input Low Voltage  
–0.3  
2
(2)  
V
+ 1  
Input High Voltage  
V
V
CC  
IH  
V
I
= 2.1mA  
= –1mA  
Output Low Voltage  
0.4  
V
OL  
OL  
I
Output High Voltage TTL  
Output High Voltage CMOS  
3.6  
V
OH  
V
OH  
I
= –100µA  
V
CC  
– 0.7V  
V
OH  
Note: 1. V must be applied simultaneously with or before V and removed simultaneously or after V .  
PP  
CC  
PP  
2. Maximum DC voltage on Output is V +0.5V.  
CC  
(1)  
Table 8A. Read Mode AC Characteristics  
(T = 0 to 70°C, –40 to 85°C, –40 to 105°C or –40 to 125°C; V = 5V ± 5% or 5V ± 10%; V = V  
)
A
CC  
PP  
CC  
M27C256B  
(3)  
Symbol  
Alt  
Parameter  
Test Condition  
-60 -70  
-80  
Unit  
-45  
Min Max Min Max Min Max Min Max  
Address Valid to  
Output Valid  
t
t
E = V , G = V  
45  
45  
25  
25  
25  
60  
60  
30  
30  
30  
70  
70  
35  
30  
30  
80  
80  
40  
30  
30  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
AVQV  
ACC  
IL  
IL  
Chip Enable Low to  
Output Valid  
t
t
G = V  
ELQV  
CE  
IL  
IL  
IL  
IL  
Output Enable Low to  
Output Valid  
t
t
E = V  
G = V  
E = V  
GLQV  
OE  
Chip Enable High to  
Output Hi-Z  
(2)  
t
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
t
t
DF  
EHQZ  
Output Enable High  
to Output Hi-Z  
(2)  
t
DF  
GHQZ  
Address Transition to  
Output Transition  
t
t
E = V , G = V  
IL IL  
AXQX  
OH  
Note: 1. V must be applied simultaneously with or before V and removed simultaneously or after V .  
PP  
CC  
PP  
2. Sampled only, not 100% tested.  
3. Speed obtained with High Speed AC measurement conditions.  
Two Line Output Control  
For the most efficient use of these two control  
lines, E should be decoded and used as the prima-  
ry device selecting function, while G should be  
made a common connection to all devices in the  
array and connected to the READ line from the  
system control bus. This ensures that all deselect-  
ed memory devices are in their low power standby  
mode and that the output pins are only active  
when data is desired from a particular memory de-  
vice.  
Because EPROMs are usually used in larger  
memory arrays, this product features a 2 line con-  
trol function which accommodates the use of mul-  
tiple memory connection. The two line control  
function allows:  
a. the lowest possible memory power dissipation,  
b. complete assurance that output bus contention  
will not occur.  
5/16  
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