Datasheet > 存储 > OTP ROM> M27C256B-10N7TR

M27C256B-10N7TR

更新时间： 2024-11-28 22:07:55

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器 OTP只读存储器电动程控只读存储器
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256 Kbit (32Kb x 8) UV EPROM and OTP EPROM

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M27C256B-10N7TR 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	LSSOP,	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	100 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	长度：	11.8 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	OTP ROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	105 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.25 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.55 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

M27C256B-10N7TR 数据手册

M27C256B

256 Kbit (32Kb x 8) UV EPROM and OTP EPROM

■ 5V ± 10% SUPPLY VOLTAGE in READ

OPERATION

■ ACCESS TIME: 45ns

■ LOW POWER CONSUMPTION:

– Active Current 30mA at 5MHz

– Standby Current 100µA

■ PROGRAMMING VOLTAGE: 12.75V ± 0.25V

■ PROGRAMMING TIME: 100µs/word

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

FDIP28W (F)

PDIP28 (B)

– Device Code: 8Dh

DESCRIPTION

The M27C256B is a 256 Kbit EPROM offered in

the two ranges UV (ultra violet erase) and OTP

(one time programmable). It is ideally suited for mi-

croprocessor systems and is organized as 32,768

by 8 bits.

PLCC32 (C)

TSOP28 (N)

8 x 13.4 mm

Figure 1. Logic Diagram

The FDIP28W (window ceramic frit-seal package)

has a transparent lid which allows the user to ex-

pose the chip to ultraviolet light to erase the bit pat-

tern. A new pattern can then be written to the

device by following the programming procedure.

For applications where the content is programmed

only one time and erasure is not required, the

M27C256B is offered in PDIP28, PLCC32 and

TSOP28 (8 x 13.4 mm) packages.

A0-A14

Q0-Q7

M27C256B

AI00755B

August 2002

1/16

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