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M27C1001-70XF1

更新时间: 2024-10-30 19:32:39
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
24页 217K
描述
128KX8 UVPROM, 70ns, CDIP32, LEAD FREE, CERAMIC, WINDOWED, FRIT SEALED, DIP-32

M27C1001-70XF1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:LEAD FREE, CERAMIC, WINDOWED, FRIT SEALED, DIP-32针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.61风险等级:5.83
最长访问时间:70 ns其他特性:00.1.142
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-CDIP-T32
JESD-609代码:e3长度:41.885 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:UVPROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:WDIP
封装等效代码:DIP32,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE, WINDOW并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.72 mm
最大待机电流:0.0001 A子类别:EPROMs
最大压摆率:0.03 mA最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

M27C1001-70XF1 数据手册

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M27C1001  
1 Mbit (128 Kbit x 8) UV EPROM and OTP EPROM  
Features  
5v ± 10% Supply Voltage in Read Operation  
Access Time: 35ns  
32  
32  
Low Power Consumption:  
– Active Current: 30 mA at 5 MHz  
– Standby Current: 100 µA  
1
1
FDIP32W (F)  
PDIP32 (B)  
Programming Voltage: 12.75V ± 0.25V  
Programming Time: 100 µs/word  
Electronic Signature  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code: 05h  
PLCC32 (C)  
TSOP32 (N)  
8 x 20 mm  
ECOPACK® packages available  
April 2006  
Rev 5  
1/24  
www.st.com  
1

M27C1001-70XF1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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