Datasheet > M2698ZD250

M2698ZD250

更新时间： 2024-11-18 20:00:59

品牌	Logo	应用领域
IXYS		快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
11页	362K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2698A, 2500V V(RRM), Silicon,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M2698ZD250 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-XEDB-N2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.82
应用：	FAST RECOVERY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-XEDB-N2	最大非重复峰值正向电流：	30600 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	2698 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	2500 V	最大反向恢复时间：	6.2 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

M2698ZD250 数据手册

Date:- 12 Jul, 2004

Data Sheet Issue:- 1

WESTCODE

An IXYS Company

Fast Recovery Diode

Type M2698Z#250 to M2698Z#350

Old Type No.: SM25-36CXC964

Absolute Maximum Ratings

MAXIMUM

LIMITS

VOLTAGE RATINGS

UNITS

V_RRM

V_RSM

Repetitive peak reverse voltage, (note 1)

Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)

2500-3500

2600-3600

MAXIMUM

LIMITS

OTHER RATINGS

UNITS

I_F(AV)M

I_F(RMS)

I_F(d.c.)

I_FSM

Maximum average forward current, T_sink=55°C, (note 2)

Maximum average forward current. T_sink=100°C, (note 2)

Maximum average forward. T_sink=100°C, (note 3)

Nominal RMS forward current, T_sink=25°C, (note 2)

D.C. forward current, T_sink=25°C, (note 4)

2698

1825

1165

4979

4545

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_RM=60% V_RRM, (note 5)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_RM≤10V, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_RM=60% V_RRM, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_RM≤10V, (note 5)

Operating temperature range

27.8

A²s

°C

I_FSM2

I²t

30.6

3.86×10⁶

4.68×10⁶

-40 to +150

T_{j op}

T_stg

Storage temperature range

Notes:-

1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for T_jbelow 25°C.

2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

4) Double side cooled.

5) Half-sinewave, 150°C T_jinitial.

Data Sheet. Types M2698Z#250 to M2698Z#350 Issue 1

Page 1 of 11

July, 2004

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

与M2698ZD250相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M2698ZD280	LITTELFUSE	获取价格	这些部件尤其适合用作门极可关断晶闸管和快速晶闸管中使用的反向并联二极管，以及用作斩波器的二
M2698ZD300	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2698A, 3000V V(RRM), Silicon,
M2698ZD320	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2698A, 3200V V(RRM), Silicon,
M2698ZD350	LITTELFUSE	获取价格	这些部件尤其适合用作门极可关断晶闸管和快速晶闸管中使用的反向并联二极管，以及用作斩波器的二
M2698ZT320	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2698A, 3200V V(RRM), Silicon,
M2698ZV280	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2698A, 2800V V(RRM), Silicon,
M2698ZV300	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2698A, 3000V V(RRM), Silicon,
M2698ZV350	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2698A, 3500V V(RRM), Silicon,
M2698ZY280	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2698A, 2800V V(RRM), Silicon,
M2698ZY340	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2698A, 3400V V(RRM), Silicon,

与M2698ZD250相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M2698ZD250

M2698ZD250 技术参数

M2698ZD250 数据手册

与M2698ZD250相关器件

与M2698ZD250相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M2698ZD250

M2698ZD250 技术参数

M2698ZD250 数据手册

与M2698ZD250相关器件

与M2698ZD250相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？