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M2698ZV300

更新时间： 2024-11-18 20:00:59

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IXYS		快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
11页	362K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2698A, 3000V V(RRM), Silicon,

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M2698ZV300 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-XEDB-N2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.84
应用：	FAST RECOVERY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-XEDB-N2	最大非重复峰值正向电流：	30600 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	2698 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	3000 V	最大反向恢复时间：	6.2 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

M2698ZV300 数据手册

Date:- 12 Jul, 2004

Data Sheet Issue:- 1

WESTCODE

An IXYS Company

Fast Recovery Diode

Type M2698Z#250 to M2698Z#350

Old Type No.: SM25-36CXC964

Absolute Maximum Ratings

MAXIMUM

LIMITS

VOLTAGE RATINGS

UNITS

V_RRM

V_RSM

Repetitive peak reverse voltage, (note 1)

Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)

2500-3500

2600-3600

MAXIMUM

LIMITS

OTHER RATINGS

UNITS

I_F(AV)M

I_F(RMS)

I_F(d.c.)

I_FSM

Maximum average forward current, T_sink=55°C, (note 2)

Maximum average forward current. T_sink=100°C, (note 2)

Maximum average forward. T_sink=100°C, (note 3)

Nominal RMS forward current, T_sink=25°C, (note 2)

D.C. forward current, T_sink=25°C, (note 4)

2698

1825

1165

4979

4545

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_RM=60% V_RRM, (note 5)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_RM≤10V, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_RM=60% V_RRM, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_RM≤10V, (note 5)

Operating temperature range

27.8

A²s

°C

I_FSM2

I²t

30.6

3.86×10⁶

4.68×10⁶

-40 to +150

T_{j op}

T_stg

Storage temperature range

Notes:-

1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for T_jbelow 25°C.

2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

4) Double side cooled.

5) Half-sinewave, 150°C T_jinitial.

Data Sheet. Types M2698Z#250 to M2698Z#350 Issue 1

Page 1 of 11

July, 2004

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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