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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> M1MA151KT1G
M1MA151KT1G PDF预览

M1MA151KT1G

更新时间： 2024-01-09 16:49:25
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 93K
描述
Single Silicon Switching Diodes

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M1MA151KT1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-59包装说明：LEAD FREE, CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.9
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.2 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：0.5 A元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：40 V
最大反向恢复时间：0.003 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

M1MA151KT1G 数据手册

 浏览型号M1MA151KT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M1MA151KT1G的Datasheet PDF文件第3页 
M1MA151KT1,  
M1MA152KT1  
Preferred Device  
Single Silicon Switching  
Diodes  
These Silicon Epitaxial Planar Diodes are designed for use in ultra  
high speed switching applications. These devices are housed in the  
SC−59 package which is designed for low power surface mount  
applications.  
http://onsemi.com  
SC−59 PACKAGE SINGLE  
SILICON SWITCHING DIODES  
40/80 V−100 mA  
Features  
• Fast t , < 3.0 ns  
rr  
SURFACE MOUNT  
• Low C , < 2.0 pF  
D
• Available in 8 mm Tape and Reel  
3 CATHODE  
Use M1MA151/2KT1 to order the 7 inch/3000 unit reel.  
Use M1MA151/2KT3 to order the 13 inch/10,000 unit reel.  
• Pb−Free Packages are Available  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
1
2
Rating  
Reverse Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
ANODE  
NO CONNECTION  
M1MA151KT1  
M1MA152KT1  
V
R
Vdc  
80  
Peak Reverse Voltage M1MA151KT1  
M1MA152KT1  
V
RM  
40  
Vdc  
80  
Forward Current  
I
100  
225  
500  
mAdc  
mAdc  
mAdc  
F
SC−59  
CASE 318D  
Peak Forward Current  
Peak Forward Surge Current  
I
FM  
I
FSM  
(Note 1)  
MARKING DIAGRAM  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Rating  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
mW  
°C  
Power Dissipation  
P
D
M
Mx  
G
Junction Temperature  
Storage Temperature  
T
J
150  
T
stg  
−55 to +150  
°C  
1
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
Mx  
x
=
=
Device Code  
H for 151  
I for 152  
Date Code*  
Pb−Free Package  
M
=
=
1. t = 1 SEC  
G
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation may vary depending  
upon manufacturing location.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
July, 2012 − Rev. 8  
M1MA151KT1/D  
 
123

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M1MA151KT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M1MA151AT1G ONSEMI

完全替代

 Switching Diode 40V
M1MA151AT1 ONSEMI

完全替代

 SINGLE SILICON SWITCHING DIODES
M1MA151KT1 ONSEMI

类似代替

 SINGLE SILICON SWITCHING DIODES

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M1MA151KT2 ONSEMI

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 		0.1A, 40V, SILICON, SIGNAL DIODE, SC-59, 3 PIN
M1MA151KT3 ONSEMI

获取价格

 		0.1A, SILICON, SIGNAL DIODE, CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN
M1MA151KT3G ONSEMI

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 		0.1A, SILICON, SIGNAL DIODE, LEAD FREE, CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN
M1MA151WA SECOS

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