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力特 - LITTELFUSE | 软恢复二极管 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
12页 | 687K | |
描述 | ||
我们的软恢复二极管提供多种反向恢复特性,可满足续流和缓冲应用的需求。 这些器件可提供高达6kV的阻断电压和高达2413A的平均电流,并采用24mm至75mm直径的硅片。 这些器件尤其适用于要求软恢 |
生命周期: | Active | 包装说明: | O-CEDB-N2 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.74 |
应用: | FAST RECOVERY | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | O-CEDB-N2 | 最大非重复峰值正向电流: | 28000 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最大输出电流: | 1858 A |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | DISK BUTTON | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 1200 V | 最大反向恢复时间: | 2.5 µs |
表面贴装: | YES | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | END | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M1858NC140 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1858A, 1400V V(RRM), Silicon, | |
M1858NC160 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1858A, 1600V V(RRM), Silicon, | |
M1858ND100 | LITTELFUSE |
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我们的软恢复二极管提供多种反向恢复特性,可满足续流和缓冲应用的需求。 这些器件可提供高达6 | |
M1858ND120 | LITTELFUSE |
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我们的软恢复二极管提供多种反向恢复特性,可满足续流和缓冲应用的需求。 这些器件可提供高达6 | |
M185B1-L02 | CHIMEI |
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TFT LCD Tentative Specification | |
M186 | ETC |
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Analog IC | |
M1865 | PETERMANN |
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HIGH RELIABILITY FOR LOW COST | |
M186E | ETC |
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Stainless Steel 18 mm Barrel-style DC Photoelectric Sensors | |
M186EQ | ETC |
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Stainless Steel 18 mm Barrel-style DC Photoelectric Sensors | |
M18-6FB | 3M |
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COPPER ALLOY, TIN FINISH, FORK TERMINAL |