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M12L128168A-7T

更新时间: 2024-01-12 12:43:03
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晶豪 - ESMT 动态存储器
页数 文件大小 规格书
44页 808K
描述
2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM

M12L128168A-7T 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:54
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.09
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:5.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G54
长度:22.22 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:54字数:8388608 words
字数代码:8000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:8MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

M12L128168A-7T 数据手册

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ESMT  
M12L128168A  
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Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication DateꢀꢁMar. 2003  
Revision1.1 ꢄꢄꢃꢄꢄ  

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
M12L128168A-7TG ESMT 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM

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M12L128168A-7TG2L ESMT ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

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M12L128168A-7TG2N ESMT Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE

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