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M12L128324A-6BG2E

更新时间: 2024-01-30 05:27:59
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晶豪 - ESMT /
页数 文件大小 规格书
44页 908K
描述
JEDEC standard 3.3V power supply

M12L128324A-6BG2E 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:LFBGA,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:5.5 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PBGA-B90
长度:13 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:32
功能数量:1端口数量:1
端子数量:90字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX32封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LFBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH座面最大高度:1.4 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
宽度:8 mm

M12L128324A-6BG2E 数据手册

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ESMT  
SDRAM  
(Preliminary)  
M12L128324A (2E)  
1M x 32 Bit x 4 Banks  
Synchronous DRAM  
FEATURES  
ORDERING INFORMATION  
y
y
y
y
JEDEC standard 3.3V power supply  
LVTTL compatible with multiplexed address  
Four banks operation  
MRS cycle with address key programs  
- CAS Latency (2 & 3)  
- Burst Length (1, 2, 4, 8 & full page)  
- Burst Type (Sequential & Interleave)  
All inputs are sampled at the positive going edge of the  
system clock  
Max  
Freq.  
Product ID  
Package Comments  
M12L128324A-5BG2E  
M12L128324A-6BG2E  
M12L128324A-7BG2E  
200MHz 90 FBGA  
166MHz 90 FBGA  
143MHz 90 FBGA  
Pb-free  
Pb-free  
Pb-free  
y
y
y
y
DQM for masking  
Auto & self refresh  
64ms refresh period (4K cycle)  
GENERAL DESCRIPTION  
The M12L128324A is 134,217,728 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 1,048,576 words by 32 bits.  
Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock I/O transactions are possible on every clock cycle.  
Range of operating frequencies, programmable burst length and programmable latencies allow the same device to be useful for a  
variety of high bandwidth, high performance memory system applications.  
BALL CONFIGURATION (TOP VIEW)  
(BGA90, 8mmX13mmX1.4mm Body, 0.8mm Ball Pitch)  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
B
C
D
E
F
DQ26 DQ24 VSS  
DQ28 VDDQ VSSQ  
VSSQ DQ27 DQ25  
VSSQ DQ29 DQ30  
VDDQ DQ31 NC  
VSS DQM3 A3  
VDD DQ23 DQ21  
VDDQ VSSQ DQ19  
DQ22 DQ20 VDDQ  
DQ17 DQ18 VDDQ  
NC  
A2  
DQ16 VSSQ  
DQM2 VDD  
G
H
J
A4  
A7  
A5  
A8  
A6  
NC  
A9  
A10/AP A0  
A1  
A11  
NC  
BA1  
CS  
CLK CKE  
DQM1 NC  
BA0  
CAS  
VDD  
DQ6  
DQ1  
RAS  
DQM0  
K
L
NC  
WE  
VDDQ DQ8 VSS  
VSSQ DQ10 DQ9  
VSSQ DQ12 DQ14  
DQ11 VDDQ VSSQ  
DQ13 DQ15 VSS  
DQ7 VSSQ  
DQ5 VDDQ  
DQ3 VDDQ  
M
N
P
R
VDDQ VSSQ DQ4  
VDD DQ0 DQ2  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date: Jun. 2011  
Revision: 0.1 1/44  

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