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M0863LC360

更新时间： 2024-01-24 00:57:52

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IXYS		快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
11页	417K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 863A, 3600V V(RRM), Silicon,

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M0863LC360 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-CEDB-N2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
应用：	FAST RECOVERY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-CEDB-N2	最大非重复峰值正向电流：	11000 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	863 A
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	3600 V	最大反向恢复时间：	4.8 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

M0863LC360 数据手册

Date:- 6 Nov, 2003

Data Sheet Issue:- 1

WESTCODE

An IXYS Company

Fast Recovery Diode

Type M0863LC260 to M0863LC360

Old Type No.: SM26-36CXC474

Absolute Maximum Ratings

MAXIMUM

LIMITS

VOLTAGE RATINGS

Repetitive peak reverse voltage, (note 1)

Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)

UNITS

V_RRM

V_RSM

2600-3600

2700-3700

MAXIMUM

LIMITS

863

OTHER RATINGS

UNITS

I_F(AVM)

I_F(RMS)

I_f(d.c.)

I_FSM

Maximum average forward current, T_sink=55°C, (note 2)

Maximum average forward current. T_sink=100°C, (note 2)

Maximum average forward. T_sink=100°C, (note 3)

Nominal RMS forward current, T_sink=25°C, (note 2)

D.C. forward current, T_sink=25°C, (note 4)

409

234

1721

1451

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_RM=60%V_RRM, (note 5)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_RM≤10V, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_RM=60%V_RRM, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_RM≤10V, (note 5)

Operating temperature range

A²s

°C

I_FSM2

I²t

500×10³

605×10³

-40 to +125

-40 to +150

I²t

T_{j op}

T_stg

Storage temperature range

Notes:-

1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for T_jbelow 25°C.

2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

4) Double side cooled.

5) Half-sinewave, 125°C T_jinitial.

Data Sheet. Types M0863LC260 to M0863LC360 Issue 1

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November, 2003

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