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M0914LC200

更新时间: 2024-11-25 14:56:55
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 斩波器二极管快速晶闸管
页数 文件大小 规格书
12页 690K
描述
这些部件尤其适合用作门极可关断晶闸管和快速晶闸管中使用的反向并联二极管,以及用作斩波器的二极管。?? 如要了解其他详细技术信息,请 联系支持部门。

M0914LC200 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.76应用:FAST RECOVERY
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流:9400 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最大输出电流:914 A封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:2000 V
最大反向恢复时间:3.2 µs表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:END
Base Number Matches:1

M0914LC200 数据手册

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Date:- 17 Jan, 2003  
Data Sheet Issue:- 1  
Fast Recovery Diode  
Type M0914LC200 to M0914LC250  
Old Type No.: SM18-25CXC804  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
UNITS  
VRRM  
VRSM  
2000-2500  
V
V
2100-2600  
MAXIMUM  
LIMITS  
914  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IF(AVM)  
IF(AVM)  
IF(AVM)  
IF(RMS)  
If(d.c.)  
IFSM  
Maximum average forward current, Tsink=55°C, (note 2)  
Maximum average forward current. Tsink=85°C, (note 2)  
Maximum average forward. Tsink=85°C, (note 3)  
Nominal RMS forward current, Tsink=25°C, (note 2)  
D.C. forward current, Tsink=25°C, (note 4)  
A
A
A
A
A
578  
337  
1730  
1442  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM10V, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM10V, (note 5)  
Operating temperature range  
8.5  
kA  
kA  
A2s  
A2s  
°C  
°C  
IFSM2  
9.4  
I2t  
361×103  
442×103  
-40 to +150  
-40 to +150  
I2t  
Tj op  
Tstg  
Storage temperature range  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 150°C Tj initial.  
Data Sheet. Types M0914LC200 to M0914LC250 Issue 1  
Page 1 of 11  
January, 2003  

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