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LXES03BAA1-110

更新时间: 2024-11-09 20:03:35
品牌 Logo 应用领域
村田 - MURATA 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
30页 1152K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DFN0603P2Y, 2 PIN

LXES03BAA1-110 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-PBCC-N2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.75最小击穿电压:5.6 V
击穿电压标称值:5.6 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PBCC-N2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
极性:BIDIRECTIONAL参考标准:IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压:5 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子形式:NO LEAD端子位置:BOTTOM
Base Number Matches:1

LXES03BAA1-110 数据手册

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Silicon ESD protection device LXESxxB series  
Document No. LX–1-1122  
Rev1.0  
p1/30  
1. Application  
This specification shall be applied to the ESD Protection Device.  
LXES1UBAB1-007  
LXES1UBAA1-096  
LXES1TBCC2-004  
LXES1TBBB2-013  
LXES2SBAA4-016  
LXES2SBBB4-026  
LXES2SBAA4-114  
LXES2TBCC4-028  
LXES4XBAA6-027  
2. Part Number Configuration  
LXES 1U B AB 1 – 007  
① ② ③ ④ ⑤ ⑥  
Product ID LXES = ESD Protection device)  
Dimension Code  
Unit : mm  
Code Dimension  
package (serial number)  
DFN1006P2E (007)  
DFN1006P2X (096)  
QFN1616P6E (004/013)  
SOT23-6L (016/026)  
SOT23-5L (114)  
Code Dimension  
package (serial number)  
DFN2510P10E (028)  
MSOP-8L (027)  
1U  
1T  
2S  
1.0 x 0.6  
1.6 x 1.6  
2.9 x 2.8  
2T  
4X  
2.5 x 1.0  
4.9 x 3.0  
Type(B:Silicon ESD)  
Control Code  
Number of channel  
Serial Number  
RoHS Compliant  
Halogen free  
T/R only.  

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