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LTE42005STRAY

更新时间: 2024-09-28 21:21:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 66K
描述
TRANSISTOR C BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, FO-41B, 2 PIN, BIP RF Power

LTE42005STRAY 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, O-CRFM-F2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最大集电极电流 (IC):0.11 A
配置:SINGLE最高频带:C BAND
JESD-30 代码:O-CRFM-F2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN最小功率增益 (Gp):7.2 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:FLAT端子位置:RADIAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

LTE42005STRAY 数据手册

  

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