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LTE42012R

更新时间: 2024-09-27 22:30:59
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管微波
页数 文件大小 规格书
12页 76K
描述
NPN microwave power transistor

LTE42012R 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT
包装说明:FLANGE MOUNT, O-CRFM-F2针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84其他特性:DIFFUSED EMITTER BALLASTING RESISTORS
外壳连接:EMITTER最大集电极电流 (IC):0.8 A
集电极-发射极最大电压:16 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):15最高频带:C BAND
JESD-30 代码:O-CRFM-F2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:8 W最大功率耗散 (Abs):8 W
最小功率增益 (Gp):6 dB认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:FLAT端子位置:RADIAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

LTE42012R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
LTE42012R  
NPN microwave power transistor  
1997 Feb 21  
Product specification  
Supersedes data of June 1992  

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