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LTE42008R

更新时间: 2024-09-27 22:30:59
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恩智浦 - NXP 晶体射频双极晶体管微波放大器局域网
页数 文件大小 规格书
12页 80K
描述
NPN microwave power transistor

LTE42008R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, O-CRFM-F2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84外壳连接:EMITTER
最大集电极电流 (IC):0.45 A集电极-发射极最大电压:16 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):15
最高频带:C BANDJESD-30 代码:O-CRFM-F2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:7.5 W
最小功率增益 (Gp):7 dB认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:FLAT
端子位置:RADIAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

LTE42008R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
LTE42008R  
NPN microwave power transistor  
1997 Feb 24  
Product specification  
Supersedes data of June 1992  
File under Discrete Semiconductors, SC15  

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