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LSM535GE3

更新时间: 2024-11-22 21:13:31
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 功效光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 107K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 35V V(RRM), Silicon, DO-215AB, DO-215AB, 2 PIN

LSM535GE3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-215AB
包装说明:R-PDSO-G2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.55
其他特性:REVERSE ENERGY TESTED应用:EFFICIENCY
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.52 V
JEDEC-95代码:DO-215ABJESD-30 代码:R-PDSO-G2
JESD-609代码:e3最大非重复峰值正向电流:250 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:35 V
最大反向电流:2000 µA表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

LSM535GE3 数据手册

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