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LSM535J-TR

更新时间: 2024-11-22 13:09:31
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美高森美 - MICROSEMI /
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2页 103K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 35V V(RRM), Silicon, DO-214AB,

LSM535J-TR 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.72其他特性:REVERSE ENERGY TESTED
应用:EFFICIENCY配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-214ABJESD-30 代码:R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流:250 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:5 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:35 V
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

LSM535J-TR 数据手册

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