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LSIC1MO120E0080

更新时间： 2023-12-06 20:13:08

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力特 - LITTELFUSE		/
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? 点击此处索取样品 Littelfus碳化硅（SiC）MOSFET LSIC1MO120E0080 1200 V额定电压为1200 V，额定电阻为80 mOhm，采用TO-247-3L封装。 ? 功能与特色: 应用:

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LSIC1MO120E0080 数据手册

Silicon Carbide MOSFET Datasheet

LSIC1MO120E0080

1200 V, 80 mOhm N-Channel SiC MOSFET

Product Summary

Characteristic

Value

1200

Unit

V_DS

Typical R_DS(ON)

mOhm

I_D(T_C

°C)

Features

• Optimized for high-frequency, high-efficiency

applications

• Extremely low gate charge and output

capacitance

• Low gate resistance for high-frequency switching

• Normally-off operations at all temperatures

Agency Approvals and Environmental

Environm ental Approvals

Applications

• High-frequency applications

• Solar Inverters

Pinout Diagram

• Switch Mode Power Supplies

• UPS

• Motor Drives

• High Voltage DC/DC Converters

• Battery Chargers

• Induction Heating

Specifications are subject to change without notice.

Read complete Disclaimer Notice at www.littelfuse.com/disclaimer-electronics.

Revised: 1/28/2022

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