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LSDB3

更新时间： 2024-09-18 03:52:19

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美微科 - MCC		数据判读及分析中心
页数	文件大小	规格书
3页	315K
描述
SILICON BIDIRECTIONAL DIAC

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LSDB3 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MELF
包装说明：	LONG FORM, O-LELF-R2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.76
最大转折电压：	36 V	最小转折电压：	28 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
触发设备类型：	DIAC	Base Number Matches：	1

LSDB3 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

LSDB3

Micro Commercial Components

Features

SILICON

BIDIRECTIONAL

DIAC

ꢀ

Breakover Voltage: 32V

ꢀ

Breakover Voltage Range: 28V to 36V

Maximum Ratings

ꢀ

Operating JunctionTemperature: -40^oC to +125^oC

Storage Temperature: -40^oC to +125^oC

Quadro MELF

ꢀ

Electrical Characteristics @ 25^oC Unless Otherwise Specified

Power dissipation

on Printed

Circuit(l=10mm)

Cathode Mark

P_C

150mW

2.0A

T_A=50^oC

Repetitive Peak

on-state Current

I_TRM

=20us,f=120Hz

C=22nF(Note 2)

Min Typ Max

28 32 36V

Breakover Voltage

V_BO

DIMENSIONS

INCHES

MIN

.130

.008

.055

DIM

MAX

.146

.016

.063

MIN

3.30

.20

MAX

3.70

.40

NOTE

Breakover Voltage

Symmetry

1.40

1.60

∅

|+V_BO|

.067

1.70

SUGGESTED SOLDER

PAD LAYOUT

Output

Voltage(Note 1)

Breakover

V_o(min)

I_BO(max)

T_r

.155”

50uA

2.0us

10uA

C=22nF

Current(Note 1)

.065”

Rise Time(Note 1)

Leakage

Current(Note 1)

I_B(max)

V_B=0.5V_BO(max)

.022”

NOTES:1.Electrical characteristics applicable in both forward and

reverse directions.

2.Connected in parallel with the devices.

www.mccsemi.com

Revision: 1

2006/11/21

1 of 3

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LSDB3_11	MCC	获取价格	SILICON BIDIRECTIONAL DIAC
LSDB3-TP	MCC	获取价格	DIAC, 36V V(BO) Max, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QUADROMELF-2
LSDB4	SEMTECH	获取价格	SILICON BIDIRECTIONAL DIACS
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