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LP6872

更新时间： 2024-11-27 22:46:59
品牌 Logo 应用领域
FILTRONIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 41K
描述
0.5W POWER PHEMT

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LP6872 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIE
包装说明：UNCASED CHIP, R-XUUC-N5针数：5
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.40风险等级：5.76
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：12 VFET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带：KU BANDJESD-30 代码：R-XUUC-N5
元件数量：1端子数量：5
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：UNCASED CHIP
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

LP6872 数据手册

 浏览型号LP6872的Datasheet PDF文件第2页 
LP 6 8 7 2  
0 .5 W POWER P HEMT  
DRAIN  
BOND  
PAD (2X)  
·
FEATURES  
¨
27 dBm Output Power at 1-dB  
Compression at 18 GHz  
9.5 dB Power Gain at 18 GHz  
55% Power-Added Efficiency  
SOURCE  
BOND  
PAD (2x)  
¨
¨
GATE  
BOND  
PAD (2X)  
DIE SIZE: 14.6X19.7 mils (370x500 mm)  
DIE THICKNESS: 3.0 mils (75 mm)  
BONDING PADS: 1.9X2.4 mils (50x60 mm)  
·
DES CRIP TION AND AP P LICATIONS  
The LP6872 is an Aluminum Gallium Arsenide / Indium Gallium Arsenide (AlGaAs/InGaAs)  
Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT), utilizing an Electron-Beam direct-  
write 0.25 mm by 720 mm Schottky barrier gate. The recessed “mushroom” gate structure minimizes  
parasitic gate-source and gate resistances. The epitaxial structure and processing have been  
optimized for reliable high-power applications. The LP6872 also features Si3N4 passivation.  
Typical applications include commercial wireless infrastructure amplifiers, such as SATCOM uplink  
transmitters, PCS/Cellular low-voltage high-efficiency output amplifiers, and medium-haul digital  
radio transmitters.  
·
ELECTRICAL S P ECIFICATIONS @ TAm b ie n t = 2 5 °C  
Parameter  
Symbol  
IDSS  
Test Conditions  
VDS = 2 V; VGS = 0 V  
VDS = 8 V; IDS = 50% IDSS  
VDS = 8 V; IDS = 50% IDSS  
VDS = 8 V; IDS = 50% IDSS  
VDS = 2 V; VGS = 1 V  
VDS = 2 V; VGS = 0 V  
VGS = -5 V  
Min  
180  
25  
Typ  
245  
27  
Max  
Units  
mA  
dBm  
dB  
Saturated Drain-Source Current  
Power at 1-dB Compression  
Power Gain at 1-dB Compression  
Power-Added Efficiency  
Maximum Drain-Source Current  
Transconductance  
260  
P-1dB  
G-1dB  
PAE  
IMAX  
GM  
8
9.5  
55  
%
385  
220  
5
mA  
mS  
mA  
V
175  
Gate-Source Leakage Current  
Pinch-Off Voltage  
IGSO  
40  
VP  
VDS = 2 V; IDS = 4 mA  
IGS = 4 mA  
-0.25  
-10  
-1.2  
-13  
-2.0  
Gate-Source Breakdown  
Voltage Magnitude  
|VBDGS  
|
V
Gate-Drain Breakdown  
Voltage Magnitude  
|VBDGD  
|
IGD = 4 mA  
-10  
-14  
70  
V
Thermal Resistivity  
frequency=18 GHz  
QJC  
°C/W  
P h o n e : (408) 988-1845  
Fa x: (408) 970-9950  
h ttp :// www.filss.com  
Re vis e d : 1/18/01  
Em a il: sales@filss.com  
12

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