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LP62S1024BX-70LLT

更新时间: 2024-02-17 22:44:51
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联笙电子 - AMICC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
18页 198K
描述
128K X 8 BIT LOW VOLTAGE CMOS SRAM

LP62S1024BX-70LLT 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:LSSOP, TSSOP32,.56,20Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.53最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
长度:11.8 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LSSOP
封装等效代码:TSSOP32,.56,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.25 mm最大待机电流:0.000001 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.03 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
宽度:8 mmBase Number Matches:1

LP62S1024BX-70LLT 数据手册

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LP62S1024B-T Series  
Preliminary  
128K X 8 BIT LOW VOLTAGE CMOS SRAM  
Document Title  
128K X 8 BIT LOW VOLTAGE CMOS SRAM  
Revision History  
Rev. No. History  
Issue Date  
Remark  
0.0  
Initial issue  
February 19, 2002  
Preliminary  
0.1  
Add 32L Pb-Free TSSOP package type  
October 2, 2002  
PRELIMINARY (October, 2002, Version 0.1)  
AMIC Technology, Corp.  

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