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LNE150ND

更新时间： 2024-10-19 03:51:51

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描述
N-Channel Enhancement-Mode DMOS FETs

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LNE150ND 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	UNCASED CHIP, X-XUUC-N	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.92
其他特性：	LOW THRESHOLD	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏源导通电阻：	1000 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	X-XUUC-N
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	UNSPECIFIED	封装形式：	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

LNE150ND 数据手册

LNE150

Preliminary

N-Channel Enhancement-Mode

DMOS FETs

Ordering Information

Order Number / Package

Product marking for TO-236AB:

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D(ON)

BV_DGS

(max)

(min)

TO-236AB*

Die

NEE❋

500V

1.0KΩ

3.0mA

LNE150K1

LNE150ND

where ❋ = 2-week alpha date code

*Same as SOT-23. All units shipped on 3,000 piece carrier tape reels.

Features

Advanced DMOS Technology

Free from secondary breakdown

Low power drive requirement

Ease of paralleling

This low threshold Enhancement-mode (normally-off) transistor

utilizesanadvancedDMOSstructureandSupertex’swell-proven

silicon-gate manufacturing process. This combination produces

devices with the power handling capabilities of bipolar transistors

and with the high impedance and positive temperature coefficient

inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures,

these devices are free from thermal runaway and thermally-

induced secondary breakdown.

Low C_ISSand fast switching speeds

Excellent thermal stability

Integral Source-Drain diode

High input impedance and high gain

Supertex’s DMOS FETs are ideally suited to a wide range of

switching and amplifying applications where high breakdown

voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast

switching speeds are desired.

Applications

Logic level interface - ideal for TTL and CMOS

Package Options

Solid state relays

Battery operated systems

Photo voltaic drive

Analog switches

General purpose line drivers

Telecom switches

Source

Absolute Maximum Ratings

Drain-to-Source Voltage

BV_DSS

BV_DGS

Gate

Drain

Drain-to-Gate Voltage

TO-236AB

Gate-to-Source Voltage

-0.7V to +10V

-55°C to +150°C

300°C

(SOT-23)

top view

Operating and Storage Temperature

Soldering Temperature*

* Distance of 1.6 mm from case for 10 seconds.

Note: See Package Outline section for dimensions.

7-21

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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LNG101CHW	ETC	获取价格	Opto-Electronic Device - Visible Light Emitting Diodes - Point-Lighting LEDs
LNG101CHW(LN11CP34)	ETC	获取价格	光デバイス－可視発光ダイオード(LED) －点発光
LNG101CHY	ETC	获取价格	LNG101CHY - Two Color LED
LNG101WHA	PANASONIC	获取价格	TWO COLOR LIGHTING
LNG101WHW	PANASONIC	获取价格	Two Color Lighting
LNG101WHY	PANASONIC	获取价格	Dual Color LED, Red/green, White Diffused, T-1 3/4, 5mm,
LNG102C2J	ETC	获取价格	LNG102C2J - Two Color LED
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