LN54

更新时间： 2024-10-18 22:46:59

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松下 - PANASONIC		红外LED 光电二极管
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3页	47K
描述
GaAs Infrared Light Emitting Diode

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LN54 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	LSTLR102-001, 2 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.40.20.00
风险等级：	5.82	其他特性：	SIDE VIEW
配置：	SINGLE	最大正向电流：	0.05 A
功能数量：	1	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	光电设备类型：	INFRARED LED
标称输出功率：	4.6 mW	峰值波长：	950 nm
形状：	ROUND	尺寸：	2.2 mm
Base Number Matches：	1

LN54 数据手册

Infrared Light Emitting Diodes

LN54

GaAs Infrared Light Emitting Diode

Unit : mm

For optical control systems

2.9±0.25

4.5±0.3

1.2

1.7±0.2

ø2.2

0.9

0.8

Features

High-power output, high-efficiency : P_O= 4.6 mW (typ.)

Emitted light spectrum suited for silicon photodetectors

Infrared light emission close to monochromatic light :

λ_P= 950 nm (typ.)

2-1.2±0.3

2-0.45±0.15

Small size, thin side-view type package

0.45±0.15

2.54

R0.8

R0.6

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

1: Cathode

2: Anode

Power dissipation

P_D

Forward current (DC)

Pulse forward current

Reverse voltage (DC)

Operating ambient temperature

Storage temperature

I_F

I_FP

V_R

T_opr

T_stg

–25 to+85

–30 to +100

˚C

f = 100 Hz, Duty cycle = 0.1 %

Electro-Optical Characteristics (Ta = 25˚C)

Parameter

Radiant power

Symbol

Conditions

min

typ

4.6

950

max

Unit

P_O

λ_P

∆λ

V_F

I_R

I_F= 50mA

2.5

Peak emission wavelength

Spectral half band width

Forward voltage (DC)

Reverse current (DC)

Capacitance between pins

Half-power angle

I_F= 50mA

1.5

V_R= 3V

µA

C_t

V_R= 0V, f = 1MHz

The angle in which radiant intencity is 50%

deg.

12 3

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LN54 替代型号

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