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LMUN5233DW1T1G

更新时间： 2024-02-26 03:54:01

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乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	168K
描述
Dual Bias ResistorTransistors NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

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LMUN5233DW1T1G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	最小直流电流增益 (hFE)：	80
元件数量：	2	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.385 W	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	晶体管元件材料：	SILICON

LMUN5233DW1T1G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

LMUN5211DW1T1 Series

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(T _A= 25°C unless otherwise noted, common for Q ₁and Q ₂,) (Continued)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

ON CHARACTERISTICS(Note 6.)

Input Resistor

LMUN5211DW1T1

LMUN5212DW1T1

LMUN5213DW1T1

LMUN5214DW1T1

LMUN5215DW1T1

LMUN5216DW1T1

LMUN5230DW1T1

LMUN5231DW1T1

LMUN5232DW1T1

LMUN5233DW1T1

LMUN5234DW1T1

LMUN5235DW1T1

LMUN5236DW1T1

LMUN5237DW1T1

R ₁

7.0

kΩ

15.4

32.9

7.0

28.6

61.1

7.0

3.3

4.7

1.0

2.2

4.7

6.1

0.7

1.3

1.5

2.9

3.3

6.1

3.3

6.1

15.4

1.54

28.6

2.86

130

61.1

2.2

100

32.9

Resistor Ratio

LMUN5211DW1T1/LMUN5212DW1T1

LMUN5213DW1T1/LMUN5236DW1T1

LMUN5214DW1T1/LMUN5215DW1T1

LMUN5216DW1T1/LMUN5230DW1T1

LMUN5231DW1T1/LMUN5232DW1T1

LMUN5233DW1T1

R₁/R₂

0.8

0.17

–

1.0

0.21

–

1.2

0.25

–

0.8

1.0

1.2

0.055 0.1

0.38 0.47

0.185

0.56

LMUN5234DW1T1

0.038 0.047 0.056

1.7 2.1 2.6

LMUN5235DW1T1

LMUN5237DW1T1

6. Pulse Test: Pulse Width < 300 ms, Duty Cycle < 2.0%

300

250

200

150

100

833°C

–50

100

150

T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)

Figure 1. Derating Curve

LMUN5211DW–5/10

1 2 3 456 7 8...10

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