是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOIC-8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.33.00.01 |
风险等级: | 5.05 | Is Samacsys: | N |
放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER | 架构: | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB): | 0.00001 µA | 最小共模抑制比: | 62 dB |
标称共模抑制比: | 74 dB | 频率补偿: | YES |
最大输入失调电压: | 3000 µV | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 4.9 mm |
低-偏置: | YES | 低-失调: | NO |
微功率: | YES | 湿度敏感等级: | 1 |
负供电电压上限: | 标称负供电电压 (Vsup): | ||
功能数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP8,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 包装方法: | RAIL |
峰值回流温度(摄氏度): | 235 | 电源: | 3/15 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.75 mm |
最小摆率: | 0.008 V/us | 标称压摆率: | 0.023 V/us |
子类别: | Operational Amplifiers | 最大压摆率: | 0.07 mA |
供电电压上限: | 16 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
标称均一增益带宽: | 50 kHz | 宽度: | 3.9 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
LMC6462BIM/NOPB | NSC |
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IC DUAL OP-AMP, 3000 uV OFFSET-MAX, 0.05 MHz BAND WIDTH, PDSO8, SOIC-8, Operational Amplif | |
LMC6462BIM/NOPB | TI |
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LMC6462 Dual/LMC6464 Quad Micropower, Rail-to-Rail Input and Output CMOS Operational Ampli | |
LMC6462BIMX | NSC |
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Micropower, Rail-to-Rail Input and Output CMOS Operational Amplifier | |
LMC6462BIMX/NOPB | NSC |
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IC DUAL OP-AMP, 3000 uV OFFSET-MAX, 0.05 MHz BAND WIDTH, PDSO8, SOIC-8, Operational Amplif | |
LMC6462BIMX/NOPB | TI |
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LMC6462 Dual/LMC6464 Quad Micropower, Rail-to-Rail Input and Output CMOS Operational Ampli | |
LMC6462BIN | NSC |
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Micropower, Rail-to-Rail Input and Output CMOS Operational Amplifier | |
LMC6462BIN/NOPB | TI |
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双路微功耗、轨到轨输入和输出 CMOS 运算放大器 | P | 8 | -40 to 85 | |
LMC6462BMWC | NSC |
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暂无描述 | |
LMC6464 | NSC |
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Micropower, Rail-to-Rail Input and Output CMOS Operational Amplifier | |
LMC6464 | TI |
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四路微功耗轨到轨输入和输出 CMOS 运算放大器 |