是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOP, SOP8,.25 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.33.00.01 |
风险等级: | 7.39 | 放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构: | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB): | 0.00001 µA |
最小共模抑制比: | 62 dB | 标称共模抑制比: | 74 dB |
频率补偿: | YES | 最大输入失调电压: | 3000 µV |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 4.9 mm | 低-偏置: | YES |
低-失调: | NO | 微功率: | YES |
湿度敏感等级: | 1 | 负供电电压上限: | |
标称负供电电压 (Vsup): | 功能数量: | 2 | |
端子数量: | 8 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP8,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
包装方法: | RAIL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3/15 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.75 mm | 最小摆率: | 0.008 V/us |
标称压摆率: | 0.023 V/us | 子类别: | Operational Amplifiers |
最大压摆率: | 0.07 mA | 供电电压上限: | 16 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 标称均一增益带宽: | 50 kHz |
宽度: | 3.9 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
LMC6462BIMX | NSC |
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Micropower, Rail-to-Rail Input and Output CMOS Operational Amplifier | |
LMC6462BIMX/NOPB | NSC |
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IC DUAL OP-AMP, 3000 uV OFFSET-MAX, 0.05 MHz BAND WIDTH, PDSO8, SOIC-8, Operational Amplif | |
LMC6462BIMX/NOPB | TI |
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LMC6462 Dual/LMC6464 Quad Micropower, Rail-to-Rail Input and Output CMOS Operational Ampli | |
LMC6462BIN | NSC |
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Micropower, Rail-to-Rail Input and Output CMOS Operational Amplifier | |
LMC6462BIN/NOPB | TI |
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双路微功耗、轨到轨输入和输出 CMOS 运算放大器 | P | 8 | -40 to 85 | |
LMC6462BMWC | NSC |
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暂无描述 | |
LMC6464 | NSC |
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Micropower, Rail-to-Rail Input and Output CMOS Operational Amplifier | |
LMC6464 | TI |
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四路微功耗轨到轨输入和输出 CMOS 运算放大器 | |
LMC6464AIM | NSC |
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Micropower, Rail-to-Rail Input and Output CMOS Operational Amplifier | |
LMC6464AIM | TI |
获取价格 |
LMC6462 Dual/LMC6464 Quad Micropower, Rail-to-Rail Input and Output CMOS Operational Ampli |