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LMC6064AMN

更新时间： 2024-11-22 22:47:03
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 运算放大器
页数 文件大小 规格书
12页 333K
描述
Precision CMOS Quad Micropower Operational Amplifier

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LMC6064AMN 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：0.300 INCH, PLASTIC, DIP-14
针数：14Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.33.00.01
风险等级：5.1放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：VOLTAGE-FEEDBACK最大平均偏置电流 (IIB)：0.0001 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：0.0001 µA最小共模抑制比：70 dB
标称共模抑制比：85 dB频率补偿：YES
最大输入失调电压：1200 µVJESD-30 代码：R-PDIP-T14
JESD-609代码：e0长度：19.18 mm
低-偏置：YES低-失调：NO
微功率：YES标称负供电电压 (Vsup)：
功能数量：4端子数量：14
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP14,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.08 mm最小摆率：0.008 V/us
标称压摆率：0.035 V/us子类别：Operational Amplifier
最大压摆率：0.14 mA供电电压上限：16 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED标称均一增益带宽：100 kHz
最小电压增益：35000宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

LMC6064AMN 数据手册

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November 1994  
LMC6064  
Precision CMOS Quad Micropower Operational Amplifier  
General Description  
Features  
The LMC6064 is a precision quad low offset voltage, mi-  
cropower operational amplifier, capable of precision single  
supply operation. Performance characteristics include ultra  
low input bias current, high voltage gain, rail-to-rail output  
swing, and an input common mode voltage range that in-  
cludes ground. These features, plus its low power consump-  
tion make the LMC6064 ideally suited for battery powered  
applications.  
(Typical Unless Otherwise Noted)  
n Low offset voltage: 100 µV  
n Ultra low supply current: 16 µA/Amplifier  
n Operates from 4.5V to 15V single supply  
n Ultra low input bias current: 10 fA  
n Output swing within 10 mV of supply rail, 100k load  
n Input common-mode range includes V−  
n High voltage gain: 140 dB  
Other applications using the LMC6064 include precision  
full-wave rectifiers, integrators, references, sample-and-hold  
circuits, and true instrumentation amplifiers.  
n Improved latchup immunity  
Applications  
n Instrumentation amplifier  
This device is built with National’s advanced double-Poly  
Silicon-Gate CMOS process.  
n Photodiode and infrared detector preamplifier  
n Transducer amplifiers  
For designs that require higher speed, see the LMC6084  
precision quad operational amplifier.  
n Hand-held analytic instruments  
n Medical instrumentation  
For single or dual operational amplifier with similar features,  
see the LMC6061 or LMC6062 respectively.  
n D/A converter  
PATENT PENDING  
n Charge amplifier for piezoelectric transducers  
Connection Diagram  
14-Pin DIP/SO  
DS011466-1  
Top View  
Ordering Information  
Temperature Range  
NSC  
Transport  
Media  
Package  
Military  
Industrial  
−40˚C to +85˚C  
LMC6064AIN  
LMC6064IN  
Drawing  
−55˚C to +125˚C  
14-Pin  
LMC6064AMN  
N14A  
M14A  
J14A  
Rail  
Molded DIP  
14-Pin  
LMC6064AIM  
LMC6064IM  
Rail  
Tape and Reel  
Rail  
Small Outline  
14-Pin  
LMC6064AMJ  
Ceramic DIP  
© 1999 National Semiconductor Corporation  
DS011466  
www.national.com  
1234567...12

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