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LM5165QDGSRQ1

更新时间： 2024-11-15 11:12:07

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德州仪器 - TI		转换器
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53页	3331K
描述
具有超低 IQ 的汽车类 3V-65V、150mA 同步降压转换器 \| DGS \| 10 \| -40 to 150

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LM5165QDGSRQ1 数据手册

LM5165-Q1

ZHCSES0C –MARCH 2016 –REVISED DECEMBER 2022

LM5165-Q1 汽车类具有超低I_Q的3V 至65V 输入、150mA 同步降压转换器

1 特性

3 说明

• 符合面向汽车应用的AEC-Q100 标准

LM5165-Q1 器件是一款易于使用的紧凑型 3V 至

65V、超低 I_Q同步降压转换器，可在宽输入电压和负

载电流范围内提供高效率。该器件具有集成式高侧和低

侧功率 MOSFET，能够以 3.3V 或 5V 的固定输出电压

或可调输出电压提供高达 150mA 的输出电流。该转换

器设计旨在简化实现方案，同时优化目标应用的性能。

脉频调制 (PFM) 模式可确保在轻负载条件下获得最优

效率，恒定导通时间 (COT) 控制可实现近似恒定的工

作频率。这两种控制方案都不需要环路补偿，同时还能

够针对较高的降压转换比实现出色的线路和负载瞬态响

应以及短暂的脉宽调制(PWM) 导通时间。

– 器件温度等级1：–40°C 至125°C 的环境温度

范围

– 器件HBM ESD 分类等级2

– 器件CDM ESD 分类等级C5

• 3V 至65V 的宽输入电压范围

• 10.5µA 空载静态电流

• -40°C 至150°C 的结温范围

• 固定（3.3V 和5V）或可调节输出电压

• 符合EN55022/CISPR 22 EMI 标准

• 集成式2ΩPMOS 降压开关

– 支持100% 占空比，可实现低压降

• 集成式1ΩNMOS 同步整流器

高侧 P 沟道 MOSFET 能够以 100% 占空比工作以确

保最低压差电压，而且不需要使用自举电容器进行栅极

驱动。另外，还可以调节电流限制设定值来优化电感器

选择，从而满足特定的输出电流要求。可选和可调节启

动时序选项包括最短延迟（无软启动）、内部固定值

(900µs) 以及可使用电容器进行外部编程的软启动。可

以使用开漏 PGOOD 指示器进行定序、故障报告和输

出电压监视。LM5165-Q1 符合汽车 AEC-Q100 1 级标

准并采用引脚间距为 0.5mm 的 10 引脚 VSON 和

VSSOP 封装。

– 无需使用外部整流二极管

• 可编程电流限制设置点（四级）

• 可选PFM 或COT 模式工作

• 1.223V ±1% 内部电压基准

• 900µs 内部或可编程软启动

• 可实现低EMI 的有效压摆率控制

• 单调启动至预偏置输出

• 无环路补偿或自举元件

• 具有迟滞功能的精密使能和输入UVLO

• 具有迟滞功能的热关断保护

• 10 引脚VSON 和VSSOP 封装

• 使用TPSM265R1 模块缩短产品上市时间

• 使用WEBENCH^®Power Designer 创建定制稳压器

设计

器件信息

封装尺寸（标

封装⁽¹⁾

器件型号

输出

称值）

LM5165-Q1

DRC（VSON，

10）

DGS（VSSOP，

可调节

3.00mm ×

3.00mm

LM5165X-Q1

5V 固定

LM5165Y-Q1

3.3V 固定

10）

2 应用

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

• 汽车和电池供电设备

• 高电压LDO 替代产品

• 通用偏置电源

100

L_F

V_IN= 3 V...65 V

V_OUT= 5 V *

VIN

LM5165X

C_IN

C_OUT

VOUT

PGOOD

HYS

V_IN= 8V

ILIM

V_IN= 12V

V_IN= 24V

V_IN= 36V

GND

V_IN= 65V

* V_OUTtracks V_IN

if V_IN< 5 V

0.1

D101

Output Current (mA)

典型原理图（固定输出）

典型效率(V_OUT= 5V)

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SNVSAJ3

12 3 4 5 6 7...53

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