是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | TSSOP, |
Reach Compliance Code: | compliant | Factory Lead Time: | 6 weeks |
风险等级: | 1.71 | 放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER |
最小共模抑制比: | 75 dB | 标称共模抑制比: | 100 dB |
最大输入失调电压: | 3000 µV | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 3 mm |
湿度敏感等级: | 2 | 功能数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
座面最大高度: | 1.1 mm | 标称压摆率: | 1.5 V/us |
子类别: | Operational Amplifier | 最大压摆率: | 0.3 mA |
供电电压上限: | 6 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 标称均一增益带宽: | 1000 kHz |
宽度: | 3 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
LM358LVIDR | TI |
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双路、5.5V、1MHz 运算放大器 | D | 8 | -40 to 125 | |
LM358LVIPWR | TI |
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双路、5.5V、1MHz 运算放大器 | PW | 8 | -40 to 125 | |
LM358M | FAIRCHILD |
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Dual Operational Amplifier | |
LM358M | NSC |
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Low Power Dual Operational Amplifiers | |
LM358M | ESTEK |
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Dual Operational Amplifiers | |
LM358M | TI |
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LM158/LM258/LM358/LM2904 Low Power Dual Operational Amplifiers | |
LM358M | RAYTHEON |
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Operational Amplifier, 2 Func, 9000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO8, | |
LM358M | ONSEMI |
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运算放大器,单电源,双路 | |
LM358M/NOPB | TI |
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2-Channel, 1MHz, industry standard, 32V op amp 8-SOIC 0 to 70 | |
LM358M/NOPB | NSC |
获取价格 |
IC DUAL OP-AMP, 9000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, PDSO8, SOIC-8, Operational Amplifier |