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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, MINI, SOP-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.33.00.01 | 风险等级： | 5.57 |
| 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER | 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.2 µA | 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.15 µA |
| 标称共模抑制比： | 60 dB | 频率补偿： | YES |
| 最大输入失调电压： | 7000 µV | JESD-30 代码： | S-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 3 mm |
| 低-失调： | NO | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 105 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP8,.19 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 包装方法： | TAPE AND REEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | +-1.5/+-15/3/30 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.1 mm |
| 最小摆率： | 0.3 V/us | 标称压摆率： | 0.6 V/us |
| 子类别： | Operational Amplifier | 最大压摆率： | 2 mA |
| 供电电压上限： | 32 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | BIPOLAR |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽： | 1100 kHz | 最小电压增益： | 25000 |
| 宽度： | 3 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LM258T | NXP |
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IC DUAL OP-AMP, 7000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, MBCY8, TO-99, 8 PIN, Operational Amp |
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| LM258W | STMICROELECTRONICS |
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Low power dual operational amplifiers |
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| LM258WAD | STMICROELECTRONICS |
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Low power dual operational amplifiers |
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| LM258WADT | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low power dual operational amplifiers |
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| LM258WAN | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low power dual operational amplifiers |
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| LM258WD | STMICROELECTRONICS |
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Low power dual operational amplifiers |
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| LM258WDT | STMICROELECTRONICS |
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Low power dual operational amplifiers |
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| LM258WN | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low power dual operational amplifiers |
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| LM258WPT | ETC |
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Operational Amplifier |
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| LM258WPT | STMICROELECTRONICS |
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低功耗双运算放大器 |
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