是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.33.00.01 |
风险等级: | 5.34 | Is Samacsys: | N |
放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER | 架构: | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB): | 0.2 µA | 25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 0.15 µA |
标称共模抑制比: | 85 dB | 频率补偿: | YES |
最大输入失调电压: | 7000 µV | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 4.9 mm |
低-偏置: | NO | 低-失调: | NO |
微功率: | YES | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
最高工作温度: | 105 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP8,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
功率: | NO | 电源: | 5 V |
可编程功率: | NO | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.75 mm | 最小摆率: | 0.3 V/us |
标称压摆率: | 0.6 V/us | 子类别: | Operational Amplifier |
最大压摆率: | 2 mA | 供电电压上限: | 32 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | BIPOLAR | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 标称均一增益带宽: | 1100 kHz |
最小电压增益: | 25000 | 宽带: | NO |
宽度: | 3.9 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
LM258WDT | STMICROELECTRONICS |
完全替代 |
Low power dual operational amplifiers |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
LM258WDT | STMICROELECTRONICS |
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Low power dual operational amplifiers | |
LM258WN | STMICROELECTRONICS |
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Low power dual operational amplifiers | |
LM258WPT | ETC |
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Operational Amplifier | |
LM258WPT | STMICROELECTRONICS |
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低功耗双运算放大器 | |
LM258WYD | STMICROELECTRONICS |
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Low power dual operational amplifiers | |
LM258WYDT | STMICROELECTRONICS |
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Low power dual operational amplifiers | |
LM258WYPT | STMICROELECTRONICS |
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Low power dual operational amplifiers | |
LM258WYST | STMICROELECTRONICS |
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Low power dual operational amplifiers | |
LM258X-L | PULSE |
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Tested and recommended by National Semiconductor Base material meets flammability requirem | |
LM258YD | STMICROELECTRONICS |
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Low power dual operational amplifiers |