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LL4150-1 PDF预览

LL4150-1

更新时间： 2024-01-20 16:28:49
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 70K
描述
MINI-MELF-SMD Silicon Diode

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LL4150-1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-213AA
包装说明：O-LELF-R2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.92
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJEDEC-95代码：DO-213AA
JESD-30 代码：O-LELF-R2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：75 V最大反向恢复时间：0.006 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：WRAP AROUND
端子位置：END处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

LL4150-1 数据手册

  
LL4150  
or  
MINI-MELF-SMD  
Applications  
Silicon Diode  
LL4150-1  
Switching  
Used in general purpose applications, where a low current controlled  
forward characteristic and fast switching speed are important.  
BKC can produce generic equivalents to JAN/ TX/ TXV and S level per  
MIL-S-19500/ 231 with internal source control drawings.  
LL-34/35 MINI MELF  
Features  
Surface Mount Package DO-213AA  
Six sigma quality  
Metallurgically bonded  
BKC's Sigma Bond™ plating for  
problem free solderability  
Both End Caps  
0.10"REF  
0.016-.022"  
2.54 mmREF  
0.41-0.55 mm  
Available in DO-35 package  
Length  
Dia.  
0.13-0.146"  
.063-.067"  
3.30-3.70 mm  
1.6-1.7mm  
Maximum Ratings  
Symbol  
PIV  
IAvg  
Value  
75 (Min.)  
200  
Unit  
Volts  
mAmps  
mAmps  
Amp  
Peak Inverse Voltage  
Average Rectified Current  
Continuous Forward Current  
Peak Surge Current (tpeak = 1 sec.)  
BKC Power Dissipation TL=50 oC, L = 3/8" from body  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
IFdc  
400  
Ipeak  
Ptot  
0.5  
500  
mWatts  
o C  
TOp  
-65 to +200  
-65 to +200  
TSt  
o C  
Electrical Characteristics @ 25oC  
Forward Voltage Drop @ IF = 1.0 mA  
Forward Voltage Drop @ IF = 10 mA  
Forward Voltage Drop @ IF = 50 mA  
Forward Voltage Drop @ IF = 100 m  
Forward Voltage Drop @ IF = 200 mA  
Reverse Leakage Current @ VR = 50 V  
Breakdown Voltage @ Ir = 0.1 mA  
Capacitance @ VR = 0 V, f = 1mHz  
Reverse Recovery time (note 1)  
Reverse Recovery time (note 2,3)  
Forward Recovery time (note 4)  
Symbol  
VF  
Minimum  
Maximum  
0.62  
Unit  
0.54  
0.66  
0.76  
0.80  
0.87  
Volts  
VF  
0.74  
Volts  
Volts  
Volts  
Volts  
VF  
0.86  
VF  
0.92  
VF  
1.0  
IR  
0.1 (100 @ 150 oC) µA  
Volts  
pF  
PIV  
CT  
trr  
75  
2.5  
4.0  
6.0  
10  
nSecs  
nSecs  
nSecs  
trr  
Vfr  
Note 1: Per Method 4031-A with IF = IR = 10 to 200 mA, RL = 100 Ohms,recover to 0.1 If.  
Note 2: Per Method 4031-A with IF = IR = 200 to 400 mA, RL = 100 Ohms,recover to 0.1 If.  
Note 3: Per Method 4031-A with IF = 10 microA, Ir = 1.0 mA, recover to 0.1 mA.  
Note 4: Per Method 4026 with IF = 200 mA, Ir = 1.0 mA, recover to 0.1 mA.  
6 Lake Street - Lawrence, MA 01841  
Tel:978-681-0392-Fax:978-681-9135  
1

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