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LL4150A

更新时间： 2024-01-12 10:41:50

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1页	80K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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LL4150A 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-LELF-R2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.5 W	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

LL4150A 数据手册

LL4150A

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

LL-34

Features

•

Fast Switching Speed

High Reliability

High Conductance

For General Purpose Switching Applications

•

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25^oC)

Characteristic

Unit

Symbol

V_RM

Value

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

Forward Continuous Current

(Note 1)

I_FM

400

Average Rectified Output Current

(Note 1)

I_O

300

Power Dissipation (Note 1)

Derate Above 25^oC

500

P_tot

T_J

1.68

mW/ ^oC

Junction temperature

200

^OC

Operating and Storage Temperature Range

T_STG

-65 to +175

^OC

Characteristics at T_j= 25^oC

Characteristic

Symbol

Min.

Max.

Unit

Forward Voltage

at I_F= 300mA

V_F

1.2

Peak Reverse Current

at V_R= 50V

I_R

100

Reverse Recovery Time

T_RR

at I_F= I_R= 10 to 200mA, to 0.1 I_F

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 14/11/2003

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