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LL4150-13

更新时间： 2024-02-12 15:48:52

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美台 - DIODES		二极管
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1页	30K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, GLASS, MINIMELF-2

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LL4150-13 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MELF
包装说明：	O-LELF-R2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.59
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	50 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

LL4150-13 数据手册

LL4150

SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE

Features

Ideal for Fast Logic Applications

Ultra Fast Switching

High Reliability

High Conductance

Mechanical Data

Case: MiniMELF, Glass

Terminals: Solderable per MIL-STD-202,

Method 208

Marking: Cathode Band Only

Polarity: Cathode Band

Weight: 0.05 grams (approx.)

MiniMELF

Dim

Min

3.30

1.30

0.28

Max

3.70

1.60

0.50

All Dimensions in mm

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Maximum Ratings

Characteristic

Symbol

LL4150

Unit

V_RM

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

@ 5.0mA

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V_RRM

V_RWM

V_R

V_R(RMS)

I_FM

RMS Reverse Voltage

Forward Continuous Current (Note 1)

Average Rectified Output Current (Note 1)

Repetitive Peak Forward Current (Note 1)

400

200

600

I_O

I_FRM

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t £ 1.0s

@ t = 1.0ms

1.0

4.0

I_FSM

P_d

Power Dissipation (Note 1)

500

300

K/W

°C

R_qJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

T_j, T_STG

-65 to +200

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Electrical Characteristics

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

Test Condition

I_F= 1.0mA

0.54

0.66

0.76

0.82

0.87

0.62

0.74

0.86

0.92

1.00

I_F= 10mA

I_F= 50mA

I_F= 100mA

I_F= 200mA

V_FM

Maximum Forward Voltage Drop

T_A

= 25°C

I_RM

C_j

t_rr

Maximum Peak Reverse Current

Junction Capacitance

100

2.5

4.0

_A= 150°C

V_R= 0V, f = 1.0MHz

I_F= I_R= 200mA,

I_rr= 0.1 x I_R, R_L= 100W

Reverse Recovery Time

Forward Recovery Time

I_F= 200mA, V_FR= 1.0V

t_fr

Note:

1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.

DS30069 Rev. C-2

1 of 1

www.diodes.com

LL4150

ã Diodes Incorporated

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