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LGE3D30120H

更新时间： 2023-12-06 20:11:25

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碳化硅肖特基

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LGE3D30120H 数据手册

LGE3D30120H

Silicon Carbide Schottky Diode

Electrical Characteristics

Max Unit

Parameter

Symbol

Test conditions

T_J= 25°C

Min

Typ

V_DC

DC Blocking Voltage

1200

I_F= 30A, T_J=25°C

I_F= 30A, T_J= 125°C

I_F= 30A, T_J=175°C

V_R= 1200V, T_J= 25°C

V_R= 1200V, T_J= 125°C

V_R= 1200V, T_J= 175°C

1.45

1.75

1.95

100

1.8

Forward Voltage

V_F

200

300

500

Reverse Current

I_R

Total Capacitive Charge

Q_C

V_R= 800V, T_J= 25°C

155

1810

145

V_R= 1V, T_J= 25°C,

Freq = 1MHz

V_R= 400V, T_J= 25°C,

Total Capacitance

Freq = 1MHz

V_R= 800V, T_J= 25°C,

Freq = 1MHz

103

Note: This is a majority carrier diode, so there is no reverse recoverycharge

Thermal Characteristics

Max Unit

0.6 ⁰C/W

Parameter

Symbol

R_th(j-c)

Condition

Min

Typ

0.45

Thermal Resistance

junction-case

http://www.lgesemi.com

Revision:20170701-P2

mail:lge@lgesemi.com

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